TI, 새로운 절연 게이트 드라이버 발표
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TI, 새로운 절연 게이트 드라이버 발표
  • 이아름 기자
  • 승인 2019.07.18 15:23
  • 댓글 0
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사진 - TI 제공

[G밸리뉴스 이아름 기자] TI가 고전압 시스템용으로 우수한 첨단 모니터링 기능과 보호 기능을 제공하는 새로운 절연 게이트 드라이버를 발표했다.

엔지니어들은 새롭게 공개된 UCC21710-Q1, UCC21732-Q1, UCC21750을 사용함으로써 트랙션 인버터, 온보드 충전기, 솔라 인버터, 그리고 모터 드라이브에서 더 작고 효율적이며 뛰어난 성능의 디자인을 구현할 수 있다.

이번에 공개된 디바이스들은 업계 최초로 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)와 실리콘 카바이드(SiC) 금속산화물 반도체전계 트랜지스터(MOSFET)를 위한 집적 통합 센싱 기능을 제공한다. 이를 통해 디자인은 간소화하고, 최대 1.5 KVRMS 로 동작하는 애플리케이션에서 시스템 신뢰성은 더욱 향상시킬 수 있다. 아울러 통합된 컴포넌트들을 통해 과전류 상태를 신속하게 탐지하고 안전하게 시스템을 정지한다.

또한 새롭게 출시된 TI의 UCC21710-Q1,UCC21732-Q1, UCC21750은 전기 용량성 절연 기술을 사용해서 절연 장벽의 수명을 확장하는 것은 물론, 더욱 강화된 절연 등급과 빠른 데이터 속도를 구현함은 물론 고밀도 패키징을 가능하게 한다.

TI의 스티브 램버시스(SteveLambouses) 고전압 전력 제품 담당 부사장은 “고전압 모터 드라이브와 전원 공급 애플리케이션에서 시스템 견고성에 대한 요구조건이 점점 까다로워지고 있다”며 “절연 기술을 사용하는 TI의 새로운 게이트 드라이버는 다른 통합 기능과 결합해서 엔지니어가 공간과 비용을 최소화하고, 보다 신속하게 신뢰할 수 있는 시스템 생산 단계로 진입할 수 있도록 지원한다”고 설명했다.


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